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张伟儒; 陈建荣;
北京中材人工晶体研究院有限公司;
机译:AlN宽禁带半导体在4.2-300 K的温度范围内的热电性能
机译:典型的II-VI宽禁带半导体晶体直接从组成元素中蒸发生长
机译:宽禁带半导体混合晶体的高密度泵浦发射
机译:S4-P1:用于电力电子应用的宽禁带隙半导体器件
机译:阴极发光研究宽禁带半导体的光学特性
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:宽禁带半导体晶体中的双光子激发发光光谱分布观察
机译:alN,GaN和选择的siC多型组合的假晶半导体异质结构:理论进展及其与成核,生长,表征和器件开发实验研究的协调
机译:AlN晶体,AlN晶体基质,具有磊晶层的AlN晶体基质和半导体装置的表面处理方法
机译:AlN晶体的表面处理方法,AlN晶体基质,具有磊晶层的AlN晶体基质以及半导体器件
机译:生长AlN晶体,AlN晶体基质和半导体器件的方法
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