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第四代宽禁带半导体的发展与展望

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课题组掌握大面单晶金刚石晶圆生长、电子器件级单晶金刚石薄膜外延生长、掺杂的核心技术,同时掌握设备的制造和研发技术.着重对特色技术-克隆技术进行介绍。目前国内首次实现了英寸级金刚石单晶晶圆的克隆生长,工艺稳定.

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来源
《粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会》|2017年|4-6|共3页
会议地点广东惠州
作者
王宏兴;
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作者单位

广东省科协广东省真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.05;
关键词
宽禁带半导体; 晶体生长; 掺杂改性; 克隆技术;

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