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曾庆锴; 李彩; 卢健; 张勇; 张冬冬;
上海微小卫星工程中心 上海 201203;
Flash; 浮栅; 单粒子效应;
机译:在Pt / Ti / AI_2O_3 / GO /石墨烯/ SiO_2 / p-Si / Au非易失(FLASH)应用中集成用于宽存储窗口的氧化石墨烯缓冲层/石墨烯浮栅
机译:MemFlash器件:浮栅晶体管作为用于神经形态计算的忆阻器件
机译:单个浮栅晶体管的模仿突触行为:Mem Flash突触
机译:1Xnm NAND FLASH浮栅注入效应的研究
机译:可重构模拟信号处理的浮栅设计和线性化
机译:动态偏置作为辐射传感器的浮栅MOS晶体管
机译:使用神经元MOSFET的季度全加法器中的浮栅区域的浮栅区域减小
机译:一种估算辐射环境中浮栅提示电荷损失概率的方法。
机译:具有多晶硅浮栅和控制栅的Flash E.sup.2 PROM单元结构
机译:通过在不对称的V形沟槽上施加保形介电层和导电层,可以制造用于Flash-EPROM等半导体器件的浮栅
机译:用于EPROM,E.sup.2 PROM和Flash E.sup.2 PROM的高控制门/浮栅耦合
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