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张华杰;
新乡学院物理与电子工程系;
晶体管级; 软错误; 防护技术; 防护性能;
机译:用于硬化软错误的11晶体管纳米级CMOS存储单元
机译:具有第二代3D三栅极晶体管的14纳米技术中的软错误率改进
机译:应变硅PMOS晶体管对SRAM软错误率的影响
机译:考虑中子诱导的单个事件瞬态从晶体管到LSI芯片级的合成软错误速率模拟
机译:用GEANT4模拟翅片场效应晶体管中的重离子软错误横截面
机译:操作系统级别的软错误检测效率研究
机译:浅析浅谈浅谈小学社会研究教科书的查询任务:基于第二项第4·第5级的第4·第6年级
机译:NIOsH的国家个人防护技术实验室:为21世纪提供个人防护技术创新
机译:形成微米级和纳米级图案的方法以及制备微米级和纳米级沟道晶体管的方法,以及使用该方法的微米级和纳米级沟道发光晶体管
机译:具有驱动器级和功率级的晶体管放大器-输入级通过驱动器晶体管连接到输出级晶体管
机译:包括栅电极级区域的集成电路,所述栅电极级区域包括交叉耦合的晶体管,所述交叉耦合的晶体管具有位于栅电极级区域的内部上方的栅极触点和偏置的栅级特征线端
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