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汪张超; 朱雨生; 周斌; 刘俊夫;
中国电子科技集团公司第四十三研究所 安徽合肥230088;
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室 广东广州510610;
功率循环; 结构函数; 热阻分析; 厚膜组装; VDMOS; Phase11;
机译:在静态和脉冲NBT应力条件下,p沟道功率VDMOSFET中与NBTI相关的退化和寿命估算
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:焊锡厚度对功率VDMOS器件封装热阻影响的研究
机译:非结构隔墙系统在循环载荷条件下的平面内性能。
机译:垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化 ud用于高频和医疗设备
机译:用组装测试芯片填充的三维硅多芯片模块中的热阻分析和测量
机译:非稳态传热条件下多层结构传热阻力的热控制方法
机译:瞬态热条件下确定站点结构构件热阻的方法
机译:热控制方法多层结构在非平稳条件下的热阻
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