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安森美半导体公司 ; 晶体管 ; 饱和电压; 双极 ; 便携式应用 ; 媒体播放器 ; 笔记本电脑; 电池寿命 ; 电源效率 ;
机译:SiGe异质结双极晶体管双极互补金属氧化物半导体工艺中使用二极管激活的SiGe异质结双极晶体管的低电容低电压瞬态电压抑制器
机译:低栅极电压操作的多发射点H +离子敏感门控横向双极结型晶体管
机译:具有低集电极-发射极偏移电压和高电流增益的宽带隙P-SiC-发射极横向异质结双极晶体管的实现:一种使用数值模拟的新提议
机译:低电源电压(> 3.5 V)双极结型晶体管的大信号RF特性
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:更正:改善石墨烯-硅-场效应晶体管的漏极电流饱和度和电压增益
机译:具有PbS胶体纳米晶体的低驱动电压和高迁移率双极场效应晶体管
机译:测量碳化硅双极结型晶体管的结至壳体热阻
机译:具有双基极双极结型晶体管的优化操作的电路,方法和系统,以及可变电压自同步整流器电路,方法和系统,以及具有双基极接触型双向双极结型晶体管电路,方法和系统的工作点优化。
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机译:多极型双极结型晶体管,双极型CMOS DMOS器件,制造双极型双极结型晶体管的方法以及制造双极型CMOS DMOS器件的方法,包括高放大倍数和击穿电压
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