MOS器件的栅氧化层抗HPM击穿效应的研究

摘要

随着集成度的不断提高,集成电路的绝缘层越来越薄。如CMOS器件绝缘层的典型厚度约为0.1μm,其相应的耐击穿电压在80～100V间。当器件特征尺寸进人深亚微来时,栅氧化层厚度仅为数纳米,而器件工作的电源电压却不宜降低,这使栅氧化层工作在较高的电场强度下,栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题。往往一个能量不算大的电磁脉冲,就可以让集成电路的栅氧击穿,将直接导致MOS器件的失效。