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陈宇石; 杨孟媛; 储琪; 陈文勤; 张鹏; 方玉明;
南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;
带隙基准电压源; 输出电压可调; CMOS; 温度系数;
机译:宽带隙材料的设计朝着可调带隙方向发展,并增加了带注入特性:硅烷与周围的咔唑基取代基一起中断π共轭
机译:通过调整p-i-n结的带隙来设计a-SiO:H太阳能电池的带隙以实现非常高的开路电压(1.06 V)
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:低输出稳压器,具有低输出峰值电压,软启动添加到带隙参考输出
机译:通过电子结构计算合理化半导体的带隙可调性
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:单纳米线,低带隙热载体太阳能电池,可调开路电压
机译:具有可调谐带隙的人造氧化物异质结构。
机译:带隙基准源具有低失调电压和高PSRR
机译:适用于生产测试的低输出噪声,高电源抑制和高精度可调节带隙基准电压源的方法和装置
机译:带隙系统,输出电压的温度系数可调
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