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非有意掺杂LECSI GaAs中EL2分布特性的研究

     

摘要

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘LECGaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布,在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。

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