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Strategy; 供应链; GaN; 行业整合; 设备; 氮化镓; 电力应用; 飞思卡尔;
机译:在300-500摄氏度下升高氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)升温等离子体
机译:GaN(氮化镓)GaN Power Device吸引力:GaN电源装置电位和设备能力,并知道何人撤回好处
机译:氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)/硼镓氮化物(Bangan)高电子迁移率晶体管(HEMT):从常关到常关晶体管
机译:GaN功率器件的最新趋势:氮化镓,氮化镓
机译:AlGaN(氮化镓铝)/ GaN(氮化镓)高电子迁移率晶体管的热压电机械仿真。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:通过直接在连续氢化物气相外延(HVPE)过程中直接形成的多肽中间层(GaN)的自由型氮化镓(GaN)的生长
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。
机译:氮化镓(GaN)和氮化镓(GaN)的气相生长方法
机译:氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法以及氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法
机译:GaN LED镓氮化物/氮化镓器件的氮化铝在AC LED的硅基板上的集成
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