退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:600V超级结功率MOSFET,东芝增加了高速版本
机译:采用600V类超结MOSFET工艺的高击穿电压(> 1000 V)半超结MOSFET
机译:微型设计的600V超结功率MOSFET
机译:600V高于600V的超级结MOSFET,通过深沟蚀刻和外延生长制造的并联栅极结构
机译:单通道压缩应变下具有沟道的p沟道MOSFET的凹陷硅锗结参数优化研究。
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:使用超级结MOSFET的高效NPC多电平转换器
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。
机译:MOSFET超级结MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管和超级结MOSFET的方法
机译:超级结MOSFET的制造方法及其制造的超级结MOSFET
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。