600V耐圧のスーパージャンクション構造パワーMOSFET、東芝が高速版を追加

摘要

東芝は、第4世代のスーパージヤンクション構造を採用した耐圧600V のMOSFET 「DTMOSIV」（ディーティー·モス·フォー）の新製品として高速スイッチング版の「DTMOSIV-H」を発売した。2014年3月31日から量産を開始した。同社は2013年4月にDTMOSIVを発売している。新製品は、DTMOSIVのオン抵抗を維持しつつ、ゲート構造を最適化して、ゲート-ドレイン間の寄生容量を45%低減した。これで、高速スイッチングを実現したとする。また、シングルェピタキシャルプロセスの採用により、高温時のオン抵抗の上昇を低減した。