集成在超级结功率MOSFET中的肖特基二极管

摘要

一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个有源晶胞区，有源晶胞区包括多个超级结沟槽功率MOSFET，肖特基二极管区包括多个肖特基二极管，形成在具有超级结结构的漂流区中。每个集成的肖特基二极管都包括一个肖特基接头，在轻掺杂的半导体层和金属层之间。