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漏边应力; 栅应力; 栅氧化; 可靠性; 晶体管; 寿命预测;
机译:CoSi_2和TiSi_2栅电极材料的金属氧化物半导体器件的应力可靠性比较
机译:栅极/漏极电压配置对具有自对准顶栅结构的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管中电流应力不稳定性的影响
机译:热载流子应力对部分耗尽SOI nMOSFET的薄栅氧化物的栅极感应浮体效应和漏极电流瞬变的影响
机译:利用浮栅集成器技术研究了70 / SPL浇筑/隧道氧化物的应力诱导的漏漏电流和电荷损失
机译:高场应力下闪存EEPROM器件中隧道栅氧化物的降解。
机译:氧含量对底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管电流应力诱导的不稳定性的影响
机译:用于栅氧化层可靠性增强的模拟CmOs IC的分层极端电压应力测试*
机译:用电离辐射和Fowler-Nordheim应力生成氮化氧化物栅介质中的界面态
机译:具有弯曲的栅电极的半导体器件,该弯曲的栅电极与弯曲的侧壁绝缘膜对准并且在沟道区域与源极和漏极区域之间具有应力引入层
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