一款60V的抗辐射加固VDMOS功率器件

摘要

功率器件被广泛地应用于太空等领域.但当其处于空间辐射和核辐射等辐照环境中时,其电参数等会发生退化,也就是说辐射会对器件的性能造成不同程度的破坏,甚至引起器件完全失效.介绍了一款抗总剂量和抗单粒子加固型60 V N型VDMOS器件,给出了该器件各项参数的仿真数据、常态测试参数和辐照下的实验数据,并将仿真结果与器件实测结果进行了对比.结果显示:在100 krad(Si)剂量辐照下,该器件阈值电压漂移-1.3 V,漏源击穿电压漂移-0.1 V,说明该器件有抗总剂量辐照能力.同时,给出了LET值为81.4 MeV·cm2/mg的单粒子效应安全工作区.