首页> 中文期刊> 《电子产品可靠性与环境试验 》 >影响Y电容器击穿电压的因子探讨

影响Y电容器击穿电压的因子探讨

             

摘要

耐电压是Y电容器的一个主要性能指标,而击穿电压则更能考核Y电容器的耐电压特性;采用MINITAB软件DOE全因子设计方案,对Y电容器芯片相关尺寸进行研究分析,找出了对Y电容器BDV影响显著的因子.结果表明,芯片银电极留边量、芯片厚度的影响最为显著,同时,芯片直径*留边量的交互作用对Y电容器BDV影响也是不容忽略的.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号