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Duvvu.C; 桂翔;
不详;
MOS ; FET ; 沟道效应; 集成电路;
机译:单层基于MoS_2的无结和反转模式场效应晶体管中的短沟道效应比较
机译:应力引起的缺陷对MOS静电和短沟道效应的影响
机译:具有高短沟道效应抗扰度和$ V_ {rm th} $可调性的高性能三栅极极薄型InAs绝缘体上MOSFET MOSFET
机译:大体积MOSFET和纳米级DG-SOI- MOSFET中的短沟道效应和亚表面行为:TCAD研究
机译:双栅极MOSFET中短沟道效应的分析模型。
机译:经皮射频消融联合rantartial Chemoembolization加索氮侵入门静脉系统的大型肝细胞系统:一项预期随机研究
机译:单层基于MoS2的无结和反转模式场效应晶体管中的短沟道效应比较
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:抑制短沟道效应的mos晶体管及其制造方法
机译:具有改善的pmos的短沟道效应和稳定的nmos电流的半导体器件的制造方法
机译:用于减少短沟道效应的MOS晶体管及其制造
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