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半导体; 硅; C+; 多孔β-SiC; 离子注入;
机译:通过向硅中多次注入碳离子合成的SiC_x薄层(x = 0.03-1.40)中的β-SiC结晶
机译:高温下铝离子多次注入的6H-SiC和15R-SiC多晶硅的光学测试
机译:硅上的SiC纳米巨石-注入低能〜(13)C并随后电子束退火的(100)硅的核反应分析研究
机译:扩散处理多孔硅和离子注入多孔硅的光伏特性研究
机译:通过溶胶-凝胶和原位聚合技术从多层涂覆的SiC颗粒制备莫来石键合多孔SiC陶瓷。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:1950°C注入后退火后的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
机译:siC / siC复合材料伪多孔siC纤维涂层的优化
机译:多孔基质中基于硅的熔融成分注入方法
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
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