通过IDDQ测试来发现深层次的缺陷

摘要

集成电路的几何尺寸越来越细,金属层越来越多,使传统的测试方法难以检查出潜在的工艺缺陷.幸运的是,一种方兴未艾器件静态电流I_(DDQ)的测试方法可以帮助设计人员发现这些缺陷,还能够找出可能影响到长期可靠性的各种问题.虽然CMOS器件的I_(DDQ)测试难点尚未全部攻克,但这种测试方法当前正在运用,而且具有广阔的发展前景.