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【24h】

プロセスばらつき推定に基づくIDDQテスト良品判定基準決定の試み

机译:基于过程变化估计的IDDQ测试尝试确定无缺陷的产品标准

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摘要

プロセスばらつきの影響で回路が仕様を満たさなくなるパラメトリック不良の増大が懸念されている.パラメトリック不良に対するテストは広く遅延故障に対して行われてきているが,リーク故障についての提案は少ない.本稿では,パラメトリック不良に対応できるリーク故障テストと、その良品/不良品判定のしきい値決定手法を提案する.提案手法ではまず,IDDQ測定値からチップのプロセスばらつきを推定する.ばらつき推定結果に基づいてそのチップのテストパタン毎のリーク電流分布と判定基準値を計算し,測定値がこれを超えれば不良とみなす.シミュレーションにより提案手法を評価し,その効果と課題について示す.
机译:担心由于工艺变化的影响,电路将不符合规格,并且参数缺陷会增加。对于延迟故障,已经对参数缺陷进行了广泛的测试,但是对于泄漏故障几乎没有建议。在本文中,我们提出了一种可以处理参数缺陷的泄漏故障测试,以及用于确定合格/不合格产品的阈值确定方法。在所提出的方法中,首先,从IDDQ测量值估计芯片的工艺变化。基于变化估计结果,计算出芯片的每个测试图案的泄漏电流分布和判断参考值,并且如果测量值超过该值,则认为该缺陷是有缺陷的。通过仿真对提出的方法进行了评估,并说明了其效果和存在的问题。

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