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3.5GHz; WiMAX技术; 富士通; 合作开发; SiGe半导体公司; 无线射频收发器; WiMAX标准; 参考设计; 系统级芯片; 系统级设计; 有限公司; 产品设计; 标准设备; 快速高效; 微电子; 芯片组; 基带;
机译:富士通计划在富士通福岛微工厂批量生产下一代半导体
机译:富士通和富士通微投资数十亿美元用于Ga N半导体的批量生产
机译:与富士通和Onkyo智能手机合作开发具有降噪功能的高品质声音
机译:采用0.18um SiGe BiCMOS工艺的0.3GHz至3.5GHz高线性度下变频混频器
机译:用于光通信变送器的SiGe BICMOS集成电路=光学通信变送器的SiGe BICMOS集成电路
机译:SiGe / SOI外延半导体中的正电子An灭表征缺陷
机译:siGe和siGe / si半导体中磷光体中心的太赫兹发射
机译:CRaY X-mp-4,富士通Vp-200和日立s-810/20的比较:argonne透视
机译:基于SiGe或SiGeC的HBT与带SiGe或SiGeC的半导体器件的集成
机译:与waermeableitungsvorrichtung合作开发半导体组件
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