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魏祎;
电子科技大学 微电子与固体电子学院,四川 成都 610054;
高速通信; 模数转换器; 逐次逼近; 非二进制;
机译:用于半导体工艺的20nm滤光片的性能:评估20nm区域中的颗粒去除性能的方法和先进的滤光片性能
机译:半导体过程的20nm过滤器的性能:20nm区域的灭菌粒子性能评估方法和尖端滤波器的电力引入
机译:F L-G = 20nm高性能GaAs基材基质的变质金属氧化物半导体高电子移动性晶体管,用于下一代高速低功率应用
机译:20nm三材料双栅极(TMDG)MOSFET的浇口下划线设计对20NM三材料的模拟和RF性能的影响
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:在一次1½小时吸入暴露后,在新生成的,原始,20nm银纳米粒子气溶胶中的28天,原始的,原始,20nm银纳米粒子气溶胶
机译:具有亚20nm特征的强相分离嵌段共聚物。
机译:具有选择性透射滤光器的LCD,在440 +/- 20nm的波长区域具有80%或更高的透光率; 525 +/- 25nm和565 +/- 45nm,并且在470至485nm和575至595nm时为10%或更少
机译:根据其他硅酸盐将Meta设计的纳米尺寸不可燃无机材料(10〜20nm)作为标准或熔融粉末(GELL Tuesday)和热塑性树脂(PMMA,PE,PS,PETG)进行混合并替代光学材料(离子化),然后通过高透光率和高透明性以及高强度不易燃(阻燃剂,阻燃剂)技术赋予功能(发明)
机译:具有npi 53 y5受体拮抗活性的胺衍生物a61p 3/04 a61p 9/04 a61p 9/12 a61p 15/00 a61p 25/08 a61p 25/20 a61p 25/24 a61p 43/00 c07c 311/07 c07c 317/36 c07d 207/325 c07d 211/14 c07d 213/38 c07d 213/74 c07d 213/82 c07d 215/38 c07d 217/04 c07d 217/14 c07d 217/22 c07d 219/10 c07d 231/38 c07d 233/61 c07d 235 / 30 c07d 237/20 c07d 237/22 c07d 237/34 c07d 239/42 c07d 241/20 c07d 261/14 c07d 261/20 c07d 263/58 c07d 265/30 c07d 265/36 c07d 267/14 c07d 275/02 c07d 277/28 c07d 277/62 c07d 277/82 c07d 295/12 c07d 295/18 c07d 333/36 c07d 333/40 c07d 333/66 c07d 333/72 c07d 403/04 c07d 409/04 c07d 413/04 c07d 417 / 12 c07d 498/04 c07d 513/04
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