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VLSI工艺中BPSG薄膜的研究

         

摘要

BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用.常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BPSG的性能有着显著影响.以WJ-999R机台为基础,详细研究了B、P含量的变化对对BPSG薄膜的沉积率、蚀刻率及其对回流效果的影响.研究发现:沉积率随着B含量的增加而增加;当P含量由0至1%时沉积率突然降低,随后随P含量的增加无显著变化.蚀刻率则随B含量的增加而降低,随P含量的增加而增加.B含量对回流效果的影响显著强于P含量的影响,每增加1%的B,玻璃软化温度降低约40℃.过高过低的B、P含量会产生异常,在3%B,5%P含量下BPSG薄膜有着优良的性能.

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