集成电路过压保护用ZnO压敏电阻的研制

摘要

为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻,以中压ZnO压敏电阻的配方为基础,通过研究与实验,确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶界稳定剂硼银玻璃和Ta2O5,低温烧结等途径,研制出了低压ZnO压敏电阻.测试结果表明,该ZnO压敏电阻的压敏电压为15～25 V,漏电流小(＜2 μA),非线性特性好(α＞29).