• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《电子元件与材料》 >脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展

脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点.综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400 nm时,呈现出了近似块状的性质.采用PLD技术,可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜.

著录项

  • 来源
    《电子元件与材料》 |2006年第5期|9-12|共4页
  • 作者

    何建廷; 庄惠照; 薛成山; 田德恒; 吴玉新; 赵婧; 刘亦安; 薛守斌; 胡丽君;

  • 作者单位

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体技术;
  • 关键词

    半导体技术; 脉冲激光沉积; 综述; 氧化锌薄膜; 衬底温度; 氧分压;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号