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半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展

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摘要

基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现，ZnO薄膜成为新的研究热点．综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积（PLD）技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响，ZnO薄膜的厚度在超过400nm时，呈现出了近似块状的性质．采用PLD技术，可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜．图2参15

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来源
《中国学术期刊文摘》|2006年第14期|5|共1页
作者
何建廷; 庄惠照; 薛成山; 田德恒; 吴玉新; 赵婧; 刘亦安; 薛守斌; 胡丽君;
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作者单位

山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南250014;

不详;

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正文语种 CHI
中图分类 TN713.1;
关键词
半导体技术; 脉冲激光沉积; 氧化锌薄膜; 衬底温度; 氧分压;

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