缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响

摘要

采用丝网印刷的方法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料.研究了基板、下电极和PMS-PNN-PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用,探讨了SiO2作为缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响.用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构.结果表明,缓冲层有效地阻止了三者之间的相互扩散,样品的d33、εr等都有所提高,所制得的压电厚膜d33为285 pC/N,εr为1 210,Qm为1 330,Kp为0.54.