SiO2掺杂低温烧结PMMNS压电陶瓷的结构和性能

摘要

采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响.结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷.SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度.当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323 pC/N,Qm=1475,tanδ=0.003 8和εr=1762.