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一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷及其低温烧结方法

摘要

本发明涉及一种氧化铜掺杂无铅压电陶瓷及其低温烧结方法,原料组成为(1‑a)(K0.5Na0.5)0.95Li0.05Nb0.93Sb0.07‑aMZrO3‑bCuO,其中a=0.01~0.05,b=0.1‑2,本发明采用三步烧结的制备方法,加入氧化铜之后,可在500℃低温条件下烧结成瓷,并获得良好的压电性能,得到一种新型的低温烧结无铅压电陶瓷材料,其压电常数d33在烧结温区内变化不大,温度稳定性较好。该方法工艺简单,适用于低温共烧工艺,是一种具有发展前景的可用于多层电容器等领域的无铅压电陶瓷材料。

著录项

  • 公开/公告号CN105777120B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同济大学;

    申请/专利号CN201610134235.9

  • 申请日2016-03-09

  • 分类号C04B35/495(20060101);C04B35/64(20060101);H01L41/187(20060101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈亮

  • 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-26

    授权

    授权

  • 2016-08-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/495 申请日:20160309

    实质审查的生效

  • 2016-07-20

    公开

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