低k介质多孔SiO2干凝胶薄膜的温度效应研究

摘要

采用正硅酸乙酯(TEOS)作为Si源,利用溶胶-凝胶旋涂法制备了多孔SiO2干凝胶薄膜,测试分析了200,300和400℃退火后样品的不同特性.研究了退火温度对多孔SiO2干凝胶低k薄膜的化学性质、物理性质和电学性能的影响.结果表明在400℃的退火温度下所制备的薄膜具有最佳性能:其厚度和折射率均达到最小值,分别为156 nm和1.31；孔隙度和均方根粗糙度均达到最大值,分别为33％和2.01 mm,并获得最低的相对介电常数(k=2)和最小的泄漏电流.