低介电常数

摘要： 本文介绍了一款极低损耗和低热膨胀系数覆铜板的制备方法及其性能研究。研究中对树脂配方体系进行设计,该覆铜板具有高耐热性,高玻璃化温度,优异的尺寸稳定性,低热膨胀系数,高频下良好的介电性能,优异的阻燃性能及良好的加工性,适用于封装、高速、HDI等用覆铜板基材。

摘要： 分别以4,4′-联苯醚二酐(ODPA)和4,4′-(4,4′-异丙基二苯氧基)二酞酸酐(BPADA)为酸酐单体、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基苯)]六氟丙烷(HFBAPP)为胺类单体,采用两步法制备了两种聚酰亚胺(PI)薄膜(PI-1和PI-2)。采用傅里叶变换红外光谱仪对薄膜的结构进行了表征,采用差示扫描量热仪和热重分析仪对薄膜的热性能进行了测试,结果表明,PI-1和PI-2薄膜失重5%时的温度分别为543.19°C和553.82°C,玻璃化转变温度分别为230°C和210°C;通过阻抗分析仪对薄膜的介电性能进行了表征,结果表明,通过引入含氟官能团和醚键,有效降低了PI的介电常数,PI-1和PI-2薄膜在1 MHz下的介电常数分别为1.30和1.32,介电损耗分别为0.046和0.052;通过紫外-可见分光光度计和接触角测量仪分别对薄膜的光透过率和疏水性进行了测试,结果表明,波长在690 nm时两种薄膜的光透过率达到80%以上,制备的薄膜表现出良好的疏水性,水接触角均在96°左右。

摘要： 采用传统固相合成法制备硅锌矿结构Mg_(x)Zn_(1.8-x)SiO_(3.8)(x=0~0.4)陶瓷,结合X射线衍射谱、拉曼光谱、扫描电镜和网络矢量分析仪等,研究Mg掺杂对低介电常数Zn_(1.8)SiO_(3.8)基微波陶瓷的晶体结构、微观形貌与微波性能的影响。结果表明:在1 300°C烧结温度下,随Mg掺杂量x增加,Mg_(x)Zn_(1.8-x)SiO_(3.8)微波陶瓷的理论极化率减小,相对介电常数相应减小;氧四面体的平均扭转度先减小后增大,导致谐振频率温度系数先减小后增大;由Zn(1)/Mg(1)O_(4)、Zn(2)/Mg(2)O_(4)、和SiO_(4)四面体组成的六元环对称性增强;同时Zn(Mg)-O键长减小,键能增大,导致品质因子Q×f增大。Mg_(0.4)Zn_(1.4)Si O_(3.8)陶瓷性能优异,相对介电常数ε_(r)约为6.2,Q×f约为112 100 GHz,谐振频率温度系数τ_(f)约为-19.2×10^(-6)°C。

摘要： 文章通过对双马来酰亚胺、聚苯醚和填料分别进行改性,提高树脂体系各种材料的相溶性、增强与玻璃布的浸透性,制得低介电、高耐热覆铜板,板材具有高耐热性,玻璃态转变温度T_(g)值达到228°C(DMA),热分层时间T288>120 min、热分解温度(T_(d)5%)达410°C;优异的尺寸稳定性,X/Y CTE<0.0013%,Z-CTE为1.69%;良好的介电性能,在10 GHz频率下的D_(k)D_(f)低至3.61/0.005的低损耗水平。此外,板材具备优异的阻燃性能、力学性能、良好的加工性,特别适用于作为封装高速、HDI用覆铜板基材。

摘要： 某公司烯烃项目加氢液化气球形储罐的4台雷达液位计故障原因分析及解决办法——阐述雷达液位计EOP测量方法的应用领域,通过深入剖析故障原因提出解决方案并说明实施方法。引入EOP杆底回波的测量技术,巧妙地解决低介电常数时雷达液位计的测量问题。某公司烯烃项目全厂罐区拥有各类型储罐60余座,其主要介质包括:石脑油、丙烯。

摘要： 本文主要分析近年来国内外低介电常数聚酰亚胺树脂及薄膜的专利概况,介绍近年来学术研究中出现的聚酰亚胺低介电常数改性方法及在电子元器件的应用研究进展,并展望低介电常数聚酰亚胺未来的发展趋势。

摘要： 聚酰亚胺(PI)广泛应用于电子集成电路的绝缘材料领域.随着电子通信行业的不断更新换代,信号传输频率逐渐往高频发展(例如5G通讯),为了满足信号传输速度快、介电损耗低的要求,需要不断地降低印刷线路板(PCB)绝缘材料的介电常数.常规聚酰亚胺介电常数偏高,不适合直接用于PCB的绝缘材料,为满足未来5 G高频通信要求,必须对其进行改性,因此本文综述了低介电常数聚酰亚胺改性的研究进展,并对其进行了展望.

摘要： 随着电动汽车的发展,全球领先的工程塑料供应商宝理塑料株式会社(Polyplastics)等材料供应商,将其创新的树脂产品应用在实现自动驾驶的先进驾驶辅助系统(ADAS)零部件上。宝理的DURANEX®PBT和DURAFIDE®PPS材料——针对雷达和摄像头支架系统的传感器——在提供低翘曲、尺寸稳定性和低介电常数方面有很大的应用前景。

摘要： 随着电动汽车逐渐普及,全球领先工程塑料供应商宝理塑料株式会社(以下简称宝理塑料)正在推动其创新树脂产品应用于先进驾驶辅助系统(ADAS)部件,以实现自动驾驶。该公司的DURANEX(R)PBT和DURAFIDE(R)PPS材料主要用于雷达和摄像头支架系统传感器中,在低翘曲、尺寸稳定性和低介电常数等方面表现出色、颇具潜力。

摘要： 本文从降低聚酰亚胺在高频下的介电常数(D_(k))和介质损耗因数(D_(f))出发,将其改性方法归纳为改变聚合物极性和引入孔隙结构两方面,综述了近几年国内外相关的研究进展,发现在引入极性大分子的同时添加孔隙结构,可使得聚酰亚胺的介电性能达到最优,同时指出了文献中性能表征的不足并提出了建议。

摘要： 随着超大规模集成电路的快速发展,市场急需具有超低介电常数(k＜2.0)、高力学强度及高玻璃化转变温度、热稳定性好的介电材料.本文通过合成具有笼型中空结构的八苯并噁嗪基倍半硅氧烷(BZPOSS),并将其与双酚A型氰酸酯(BADCy)共混共聚制得纳米多孔复合材料.DSC测试结果表明BZPOSS对BADCy聚合有很好的催化效果,仅添加5wt％BZPOSS,共混体系聚合反应温度相比于纯的BADCy便有大幅度降低,在200°C以内便能反应完全.并且聚合得到的复合材料Tg达到287°C,高于纯的BADCy在250°C聚合得到的材料的Tg.SEM照片及EDS硅元素分布图表明BZPOSS均匀分散在复合材料中.介电测试表明,BZPOSS的引入可以明显地降低复合材料的介电常数及介电损耗.当BZPOSS添加量为15wt％时,介电常数及介电损耗分别为2.01及0.0070.

摘要： 聚芳醚酮(PAEKs)是一类具有优异机械性能、良好耐溶剂性、良好尺寸稳定性、良好电性能以及较好热稳定性的高性能聚合物，在航空、车辆、电子等高技术领域都展现出广泛的应用前景，本文通过分子设计，向聚合物中引入低极化率的含氟基团和非极性大体积的金刚烷基团，制备了含三氟甲基和金刚烷侧基的聚芳醚酮共聚物，考察了金刚烷基团的引入对材料各项性能的影响。为了进一步提高低介电常数纳米复合材料的机械性能、热性能，选取了同样具有空心结构并具有无机一有机混合结构的倍半硅氧烷(POSS)作为改性成分，通过不同的分子设计，利用化学键合的方式，将其引入低介电常数含氟聚芳醚酮基体中，分别制备了介电常数可降至1.71(Figure1)和1.64 (Table 2) (1MHz)的含POSS聚芳醚酮纳米复合材料。研究表明，复合材料在拥有较低的介电常数下，仍具有优异的热性能和力学性能。

摘要： 以C2F6、SiH4和N2O为反应前驱体，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）制备了新型低介电常数SiCONF介质薄膜，并通过X射线光电子能谱（XPS）、电容－电压（C-V）和电流－电压（I-V）特性测试以及纳米压痕法对材料的组成、电学和力学性质进行了表征。结果表明，随着C2F6流量的增加（同时保持其它气体流量不变），所淀积的薄膜中氟元素含量逐渐增加，氮元素含量逐渐降低，碳元素含量也表现出增加的趋势，薄膜的介电常数逐渐降低。当C2F6的流量为750sccm时，所淀积的SiCONF薄膜的介电常数为2.64，薄膜中氟的含量达到9.90%。该薄膜均具有良好的漏电特性，在1MV/cm的电场强度下，其泄漏电流密度小于3×10-8A/cm2。此外，薄膜的机械性能测试表明，所得薄膜均具有较好的机械性能，其硬度大于3GPa，杨氏模量大于84GPa，这可能与薄膜中氮元素的存在有关。另外，C、F两种元素的引入有利于降低薄膜的介电常数。

摘要： 介绍了一种制备具有低介电常数氧化硅分子筛薄膜的新方法.以正硅酸乙酯为硅源,四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂和碱源,采取水热晶化技术,通过原位法在硅晶片表面制备出纯二氧化硅透明分子筛薄膜;采用紫外光解法脱除分子筛薄膜孔道内的模板剂,制备出具有低介电性能的氧化硅分子筛薄膜.使用FT-IR,XRD和SEM对样品进行了结构表征,并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数,采用纳米硬度计测量薄膜的弹性模量和硬度.

摘要： 通过4,4'-二(4-烯丙氧基苯甲酸)苯酯与POSS分子的硅氢化反应,合成了POSS交联聚合物。用FTIR、XRD对聚合物结构进行了表征,利用椭偏仪测量了薄膜的折射率和介电常数。通过改变单体与POSS投料摩尔比,可制备出k＜2.5的低介电常数薄膜。

摘要： 随着信息产业、先进通讯设备和技术的发展,广泛应用于通讯领域的各种高频电子设备的需求也在快速增长,为满足高频信号的传输,高传输速度和高频低损耗的需求,各种低介电常数(Dk)和低介质损耗(Df)的覆铜板基材也在不断的发展中,覆铜板应用领域对板材的介电性能也越来越关注.本文主要根据高频高速材料的特点,对板材如何实现Low Dk/Df的方法进行论述,同时还介绍了以特殊改性环氧树脂结合新型SMA改性的固化剂,得到的一种适用高多层PCB并具有良好加工性的高频高速覆铜箔板材料.

摘要： 综述了近年来国内外低介电常数聚酰亚胺(PI)材料的制备方法,重点讨论了将介孔氧化硅、二氧化硅管、多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)的孔洞结构以及其他矿物材料引入聚酰亚胺体系制备低介电复合材料的制备方法和介电性能,并对低介电常数聚酰亚胺材料的发展前景进行了展望,指出将多孔材料添加到PI中,形成具有骨架结构的孔洞,所制备出的复合材料,具有较低介电常数的同时也有较好的力学性能,为低介电PI材料的制备提供了一条新思路.

摘要： 采用溶胶-凝胶技术,蒸发诱导自组装法(EISA)工艺制备了二氧化硅透明有序介孔薄膜.以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为模板剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源前驱体,基片采用双面抛光的硅片,利用提拉法制备薄膜.经过表面修饰剂六甲基二硅胺烷(HMDS)修饰后,薄膜具有疏水性能,而且薄膜的二氧化硅骨架结构更稳定.由椭偏仪测得热处理后的薄膜的折射率低至1.18,而薄膜的介电常数为2.14.

摘要： 电化学研究表明，直径小于2 纳米的烷基硫醇单层膜稳定的金纳米颗粒（以 下简称MPCs）在室温下可呈现连续的单电子转移行为[1]。基于其独特的电化学 性质，它们的自组装薄膜电化学研究也得到了广泛的关注。当MPCs 薄膜浸入低 介电常数的有机溶液中时(通常为氯代烷烃)，其电化学行为与分散在溶液中 MPCs 相似，没有大的区别，既可以观察到薄膜的阳极氧化也可以观察到阴极还 原。然而，当薄膜浸入水溶液中，其电化学行为显著不同。迄今为止，人们只观 察到了MPCs 薄膜的阳极氧化，且与电解质阴离子的性质和浓度密切相关，而阴 极还原则被完全抑制，这种现象被称为“离子诱导整流”[2,3]。薄膜的阴极还原 至今尚未在实验上观察到，它为什么被抑制尚无合理的解释。

摘要： 电化学研究表明，直径小于2 纳米的烷基硫醇单层膜稳定的金纳米颗粒（以 下简称MPCs）在室温下可呈现连续的单电子转移行为[1]。基于其独特的电化学 性质，它们的自组装薄膜电化学研究也得到了广泛的关注。当MPCs 薄膜浸入低 介电常数的有机溶液中时(通常为氯代烷烃)，其电化学行为与分散在溶液中 MPCs 相似，没有大的区别，既可以观察到薄膜的阳极氧化也可以观察到阴极还 原。然而，当薄膜浸入水溶液中，其电化学行为显著不同。迄今为止，人们只观 察到了MPCs 薄膜的阳极氧化，且与电解质阴离子的性质和浓度密切相关，而阴 极还原则被完全抑制，这种现象被称为“离子诱导整流”[2,3]。薄膜的阴极还原 至今尚未在实验上观察到，它为什么被抑制尚无合理的解释。

摘要： 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

摘要： 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。

摘要： 一种组合物，包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物，其中在一分子的主链中形成-X-键的碳与硅原子数之比范围为2∶1～12∶1，其中X是(C)m，其中m是1～3的整数，或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团，和溶剂，对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此，提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。

摘要： 本发明提供了一种介电常数系列可调的低介电常数LTCC材料用玻璃粉体的制备方法，包括低软化点硼硅酸盐玻璃粉体、高软化点钙硼硅玻璃粉体与陶瓷填料。与现有技术相比，本发明通过调节低软化点硼硅酸盐玻璃粉体、高软化点钙硼硅玻璃粉体与陶瓷填料三者的掺杂比例，可以得到烧成温度在630°C～950°C、相对介电常数εr可在5.40～9.85调节的微晶玻璃材料烧成样品，其在1MHz频率下测得试样的介电损耗值Tanδ＜6.0×10‑4，可以满足不同种类的低介电常数LTCC器件制造的要求，因此具有很好的应用前景。

摘要： 本发明公开了一种具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法，其利用聚合物分子链侧基的可设计性，在侧基苯环或联苯基链段结构间位引入直链刚性基团，通过侧基苯环的松弛旋转在材料中形成更大尺寸的自由体积空穴，抑制分子链堆积，进而降低聚合物材料介电常数。本发明的设计方法简单，适用于常见的高性能聚合物材料，可应用于制备低介电聚合物材料，适用于电子、微电子、信息以及航空航天等高新技术产业领域，特别是超大规模集成电路领域。

摘要： 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

摘要： 本发明的低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。此外，本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法，具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝缘膜材料成膜的工序，作为所述绝缘膜材料不使用烃，在形成的低介电常数层间绝缘膜中，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。

摘要： 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。

摘要： 一种组合物,包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物,其中在一分子的主链中形成－X－键的碳与硅原子数之比范围为2∶1～12∶1,其中X是(C)m,其中m是1～3的整数,或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团和溶剂,对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此,提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。

摘要： 本发明提供了一种介电常数系列可调的低介电常数LTCC材料用玻璃粉体的制备方法，包括低软化点硼硅酸盐玻璃粉体、高软化点钙硼硅玻璃粉体与陶瓷填料。与现有技术相比，本发明通过调节低软化点硼硅酸盐玻璃粉体、高软化点钙硼硅玻璃粉体与陶瓷填料三者的掺杂比例，可以得到烧成温度在630°C～950°C、相对介电常数εr可在5.40～9.85调节的微晶玻璃材料烧成样品，其在1MHz频率下测得试样的介电损耗值Tanδ＜6.0×10‑4，可以满足不同种类的低介电常数LTCC器件制造的要求，因此具有很好的应用前景。