EKV模型用于有机场效应晶体管电学性能分析

摘要

有机场效应晶体管（organic field-effect transistor,OFET）因为其柔性和低成本制造的优势而获得关注。为进一步拓展OFET应用,进行OFET为基础的电路设计,对OFET器件的电学性能建模变得重要。本文引入EKV模型对OFET器件的电学性能进行精确的建模,实现了从耗尽区到饱和区的完整栅压范围电学特性描述,相对于传统模型更加准确。