碳化硅MOSFET与硅IGBT混合开关特性的研究

摘要

为了综合利用碳化硅MOSFET与硅IGBT的优势,本文提出了一种并联混合开关,并对其动态特性进行研究.首先根据Datasheet上的转移特性对比SicMOSFET与SiIGBT各自的静态特点.其次,在相同条件下基于双脉冲测试分析了两者动态损耗差异.然后,结合两者各自的特点提出混合开关的结构,并比较了混合开关相对于独立开关的优点,最后对比分析在不同寄生参数条件下混合开关的动态特性.结果表明,混合开关具有更低的开关损耗与导通损耗,相对于独立开关具有更优良的动态特性.