机译:硅IGBT和碳化硅MOSFET交叉开关混合的特性
Grid Systems R&D, ABB Switzerland Ltd, Lenzburg, Switzerland;
Insulated gate bipolar transistors; MOSFET; Performance evaluation; Silicon; Silicon carbide; Switches; Hybrid; IGBT; MOSFET; Silicon; Silicon Carbide; silicon (Si); silicon carbide (SiC);
机译:碳化硅MOSFET与基于IGBT的电动汽车牵引系统的全面比较
机译:碳化硅MOSFET挑战IGBT
机译:硅IGBT,硅超结和SiC MOSFET中的中子诱发故障
机译:更多电动飞机功率转换器中的碳化硅MOSFET:在指定的飞行任务范围内,性能和可靠性优于硅IGBT
机译:二氧化硅/碳化硅界面的微结构和化学研究及其与碳化硅MOS二极管和碳化硅MOSFET的电学性质的关系。
机译:碳化硅-碳化硅纳米粒子在硅晶片表面的生长和自组装成蠕虫状纳米杂化结构。
机译:更多电动飞机功率转换器中的碳化硅MOSFET:在指定的飞行任务范围内,性能和可靠性优于硅IGBT