SiC MOSFET高频逆变器散热系统设计

摘要

针对基于SiCMOSFET的高频逆变器,提出了一种散热系统的实用设计方法,首先对Si CMOSFET进行损耗计算,考虑了驱动电阻、直流母线电压以及电流等对Si CMOSFET损耗的影响,使计算结果较为准确。其次,建立散热系统的热阻模型,计算工作时各点的温度,在此基础上设计了一套强迫风冷系统,并运用F loT H E R M热仿真软件进行热仿真。将计算结果与仿真结果进行比较,证明了此设计的合理性。