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李海疆; 蒋献伟; 杨卫星;
中国联合工程公司;
上海电力公司;
浙江省电力设计院;
交错并联; buck; 反向恢复损耗;
机译:具有杂连接二极管的新型4H-SiC超结Umosfet,用于增强反向恢复特性和低开关损耗
机译:一款与SBD(TPSBD)集成的沟槽/平面SiC MOSFET,用于低反向恢复充电和低开关损耗
机译:考虑到前向二极管的反向恢复,升压PFC电路中的功率损耗比较
机译:使用反向恢复瞬态方法测量纳米晶硅器件中少数载流子的寿命。
机译:超低损耗片上零指标材料
机译:异结二极管屏蔽SIC分流栅极沟槽MOSFET,具有优化的反向恢复特性和低开关损耗
机译:铁路脉冲电源电路中晶闸管和二极管反向恢复的建模与分析。
机译:增强转换器电路和过程以释放第一电子开关的寄生电容,同时将由于第一开关的激活引起的损耗和由第一整流器元件的反向恢复电流引起的损耗降至最小
机译:改进了电源开关电路,以减少由于反向恢复电流引起的损耗
机译:使用电荷共享功能的并联开关变换器,可防止由于反向恢复现象而引起的开关损耗和开关噪声的增加
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