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秦圆圆;
国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心;
苏州 215000;
化学机械抛光; 浅沟槽隔离; 选择比;
机译:新型α-胺官能化二氧化硅基分散体,用于在化学机械抛光过程中在二氧化硅,氮化硅或铜上选择性抛光多晶硅和Si(100)
机译:先进陶瓷(氮化硅)和玻璃(二氧化硅)的磁浮法抛光(MFP)中的化学机械抛光(CMP)
机译:亚10 nm逻辑装置氮化硅化学机械抛光期间反应离子蚀刻对抛光选择性的影响
机译:先进陶瓷(氮化硅)和玻璃(二氧化硅)的磁浮抛光(MFP)中的化学机械抛光(CMP)
机译:用于微电子应用中的多晶硅,二氧化硅和氮化硅膜化学机械抛光的新型浆料配方和相关机理。
机译:化学机械抛光实施后化学机械抛光对钛植入物表面性质的影响FT-IR和钛植入物表面的润湿性数据
机译:氮化硅酸盐,氧氮化硅酸盐和碳氮化硅酸盐的光学,磁性和结构性质
机译:碳化硅的化学机械抛光
机译:通过包含基于吡啶的化合物和基于(甲基)丙烯酸的共聚物,能够提高与氧化硅和/或多晶硅相比较的氮化硅的抛光速率的化学机械抛光浆料组合物
机译:二氧化硅抛光氮化硅的化学机械抛光组合物及抛光氮化硅的方法,同时抑制二氧化硅损伤
机译:具有增强的缺陷抑制能力并在酸性环境中通过二氧化硅选择性抛光氮化硅的化学机械抛光组合物和方法
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