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杨旖秋; 韩晓桐; 胡秀飞; 李斌; 彭燕; 王希玮; 胡小波; 徐现刚; 王笃福; 刘长江; 冯志红;
山东大学新一代半导体材料研究院;
山东大学晶体材料国家重点实验室;
济南金刚石科技有限公司;
专用集成电路国家级重点实验室;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
HTHPⅡa金刚石; HTHPⅠb金刚石; CVD金刚石; 结晶质量; 应力; 等离子体刻蚀; 位错密度;
机译:单晶CVD金刚石作为用于高压研究的小角度X射线散射窗口
机译:衬底偏压对等离子CVD类金刚石碳膜完全覆盖的单晶硅微结构拉伸性能的影响
机译:通过将H_2 / O_2等离子蚀刻与HPHT衬底的化学机械或ICP处理相结合,可以改善厚CVD单晶金刚石薄膜中的位错密度
机译:CH / sub 4 / h / sub 2 /与CO / H / SUB 2 /气体混合物对硅基衬底上沉积CVD金刚石膜质量的对比研究
机译:用于高压,高功率和高温应用的单晶金刚石二极管的设计和仿真。
机译:通过横截面TEm和CL分析,衬底类型对CVD生长的同质外延金刚石层质量的影响
机译:高温高压下金刚石合成与生长的热力学因素分析研究
机译:高温高压条件下激光烧蚀结合高压放电等离子体CVD形成金刚石薄膜的方法及金刚石块的制造方法
机译:在指定的初始低温和随后高温下,通过CVD在单晶硅衬底上,特别是在微电子学硅晶片上形成单晶锗层
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