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杨新民; 金锦炎; 周宁; 刘涛; 刘坚; 李同宁;
武汉电信器件公司;
半导体器件; 激光器; 量子阱;
机译:三步MOVPE生长的高功率InGaAs-GaAs-InGaP分布反馈掩埋异质结构应变量子阱激光器
机译:0.98μm高功率InGaAs-GaAs-InGaP分布式反馈掩埋异质结构应变量子阱激光器
机译:1 / f噪声对高输出功率下波纹节距调制多量子阱分布式反馈激光器光谱线宽的影响
机译:1.5 / spl mu / m波长的高功率多量子阱分布式反馈激光器阵列和Fabry-Perot激光器阵列
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:掺有随机分布反馈光纤激光器的高功率超长波长掺T硅光纤激光器
机译:具有非常低的阈值电流的高功率单模980 nm AlGaInAs / AlGaAs量子阱激光器
机译:分布式反馈量子阱激光器的高带宽直接调制
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:使用量子细线或由量子细线形成的量子阱或形成方式的分布反馈半导体激光器零点,以及上述量子阱的形成方式
机译:一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
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