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倪炜江; 李宇柱; 李哲洋; 李赞; 陈辰; 陈效建;
南京电子器件研究所;
单片集成电路和模块国家级重点实验室;
耐高温; 二极管; 电力电子器件; SiC; 优良特性; 高热导率; 漂移速率; 器件性能;
机译:1200V / 100A 4H-SIC结障肖特基二极管的高温可靠性分析
机译:1200V / 75A 4H-SiC JBS电热特性的仿真
机译:在宽温度范围内对非均质4H-SiC肖特基二极管和JBS二极管进行建模
机译:1200V-15A 4H-SiC JBS二极管的制造和高温表征
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:基于双4H-SiC JBS和SBD器件的高性能温度传感器
机译:高性能4H-SIC浮动结合JBS二极管的实验研究
机译:低压(<250 V)4H-siC p + n结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性
机译:肖特基障碍物二极管(SBD)及其离场融合PN /肖特基二极管或结型障碍物肖特基(JBS)二极管
机译:肖特基势垒二极管(SBD)及其下冲合并PN /肖特基二极管或结势垒肖特基(JBS)二极管
机译:高温稳定工作的4H-SIC非挥发性存储设备的特性
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