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王鹏飞; 丁士进; 张卫; 张剑云; 王季陶;
复旦大学电子工程系;
化学气相淀积; 掺氟氧化硅; 低介电常数薄膜;
机译:PECVD法制备低漏电流掺氟碳氧化硅
机译:使用甲基三甲氧基硅烷前体通过PECVD制备的低介电常数碳掺杂氧化硅膜的研究
机译:氟流量和沉积温度对掺氟硅氧烷基低介电常数材料物理特性和稳定性的影响
机译:PECVD低介电常数F掺杂SiOCN薄膜的制备与表征
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:低介电常数启用聚(酰亚胺硅氧烷)薄膜定义明确的二硅氧烷连接的烷基二胺
机译:采用pECVD沉积的mTEs / O2制备低介电常数siOC(-H)薄膜的结构和力学性能
机译:低介电常数甲基倍半硅氧烷薄膜中的辐射效应
机译:沉积低介电常数的方法。利用四氟化硅/氧气化学作用的硅氧氟薄膜
机译:修复受损的低介电常数二氧化硅基薄膜和由其还原的低介电常数二氧化硅基薄膜的方法
机译:使用包含环硅氧烷和氟硅烷的材料的低介电常数薄膜及其制备方法
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