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韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和相; 丁琨;
北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;
北京航空航天大学光电技术研究所;
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;
氢化纳米硅薄膜; nc-Si:H薄膜; 内应力; PECVD; 微结构; 掺杂; 磷;
机译:不同晶相分数的nc-Si / a-Si:H薄膜表面结构的相关特性研究
机译:倾斜缝隙激发天线产生的高温中性束分析nc-Si:H薄膜的晶体特性
机译:通过PECVD制造的氮氧化硅薄膜的内应力和光学特性的光学干涉测量研究
机译:薄膜A-Si的光谱椭圆形研究:H / NC-Si:H MicroMorph太阳能电池制造在P-I-N超级型配置
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机译:r.f.生产的a-si:h和nc-si:h薄膜的微观结构和热特性溅镀
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机译:薄膜沉积在基体上的薄膜内应力测量的方法和装置
机译:连续式薄膜浇铸机中薄膜变形和内应力确定系统
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