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适用于太阳电池的nc-Si:H薄膜及 nc-Si/c-Si异质结的研究

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该文介绍了使用改进的PECVD薄膜沉积设备,制备出掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,并在此基础上制备了纳米硅/晶体硅(nc-Si/c-Si)异质结;研究了其光学和电学特性.实验表明nc-Si/c-Si异质结具有良好的光电转换性能和稳定性,适用于制造太阳电池.

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来源
《太阳能学报》 |2003年第z1期|21-23|共3页
作者
陈哲艮; 金步平; 朱正菲;
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作者单位

中国光电技术发展中心,杭州,310012;

中国光电技术发展中心,杭州,310012;

中国光电技术发展中心,杭州,310012;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TK304;
关键词
纳米硅薄膜; 异质结; 光电性能;

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