退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响

摘要

用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜．用Ce3d的XPS谱计算了Ce3＋浓度．研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明，薄膜经973K至1373K退火后，形成了CaF2型结构的CeO2-x，其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚．退火温度在973K至1173K时，（200）晶面是择优取向的，在1373K退火4h后，可得到热力学稳定的CeO2－x，在退火前后薄膜表面存在少量Ce3＋．