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王建利; 孙强; 牛沈军; 兰天平; 李仕福; 周传新; 刘津;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
位错密度; 垂直布里奇曼法; GaAs晶体; 温度梯度; 热场;
机译:极低位错密度(EPD 1000 cm〜-2)的GaAs的VGF生长区中的残留位错类型分析
机译:低位错密度高压高温生长单晶金刚石中位错的同步X射线形貌
机译:通过两步位错减少来生长具有极低位错密度的GaN单晶
机译:砷气氛下低位错密度4“ 0 / spl Oslash / GaAs单晶生长
机译:在硅薄膜上生长的弛豫低位错硅锗化物合金的生长和表征。
机译:纳米压痕法研究LiTaO3单晶的室温蠕变行为和位错成核的活化体积
机译:Na基助熔剂生长低位错大尺寸GaN单晶及其生长机理的阐明
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。
机译:VB法低缺陷GAAS单晶生长
机译:VB法生长的气体单晶的位错减少方法
机译:垂直温度梯度降低法减少GaAs单晶生长中的位错
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