CeO_2掺杂MgO-ZrO_2陶瓷的阻抗特性

摘要

利用共沉淀法合成了CexMg0.06Zr（1-x）O1.94（x=0～16%）超细粉体,压制成型后分别在1300,1400,1500,1600 ℃下,保温3 h烧结.对烧结样品用XRD研究了相组成.在不同温度下（700～1200 ℃）测试了CexMg0.06Zr（1-x）O1.94陶瓷的交流阻抗谱.结果表明： 随着CeO2掺入量的增加,促进了CexMg0.06Zr（1-x）O1.94陶瓷立方相结构的形成,扩展了氧离子迁移的通道,降低了导电相粒子间的接触电阻,减低了氧离子的迁移阻碍,从而使得 CexMg0.06Zr（1-x）O1.94陶瓷的导电性能提高.