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陈辰; 张斌; 陈堂胜; 焦刚; 任春江;
单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所;
南京210016;
功率密度; MMIC; HEMT; GaN; 高电子迁移率晶体管; 南京电子器件研究所; 微波单片集成电路; 输出阻抗;
机译:用于高功率Ku波段卫星通信的GaN HEMT MMIC和内部匹配的GaN HEMT的扩展阵容
机译:用于现代无线电通信的SiC和硅基板上的高功率微波GaN / AlGaN HEMT和MMIC
机译:用于现代无线电通信的高功率微波GaN / Algan Hemts和MMICS上的SIC和硅基板
机译:谐波电抗终端型11GHz波段GaN HEMT高效功率放大器
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:常开型GaN HEmT技术中的DC / DC转换器,用于mmIC技术中的RF功率放大器设计
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型
机译:GaN HEMT GaN功率高电子迁移率晶体管功率放大器
机译:GaN E-HEMT互连装置GaN E-HEMT装置
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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