一种高精密CMOS带隙基准源

摘要

设计了一个与n阱工艺兼容的高精密CMOS带隙基准电压源电路。该电路实现了一阶PTAT温度补偿,并具有好的电源抑制比。SPICE模拟和测试结果表明,其电源抑制比可达到60dB,在20～70°C范围内精度可达到60ppm/°C。