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张强; 田泽; 王进军; 刘宁; 王谨;
西北大学信息科学与技术学院;
CMOS; 带隙基准; 软启动电路; 温度补偿; 电源抑制比;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:CMOS带隙基准电压源的无电阻BJT偏置和曲率补偿电路(3.4nW)
机译:适用于纳瓦CMOS LSI的1.2V电源,100nW,1.09V带隙和0.7V电源,52.5nW,0.55V子带隙基准电路
机译:具有电流控制电路的CMOS带隙基准电压源,可扩展的工作温度范围
机译:CMOS带隙基准电路。
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:采用近1V电源的CmOs带隙基准电压源的运算放大器和启动电路
机译:带有外延金属触点的多带隙光电探测器。
机译:CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译:具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译:低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
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