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Richard B.Fair; 学工;
场效应晶体管; 沟道; 掺杂浓度; 跨导; 简化方法; 单极晶体管; 场效应器件; 夹断电压; 直流参数; 峰值电场; 迭代;
机译:二维器件仿真分析不同栅长和栅轮廓的砷化镓金属半导体场效应晶体管的直流特性和小信号等效电路参数
机译:使用砷化镓场效应晶体管的集成微波放大器的设计技术
机译:沟道不均匀性对砷化镓场效应晶体管特性的影响分析
机译:专为高温操作而设计的增强型砷化镓金属半导体场效应晶体管
机译:砷化镓场效应晶体管型核酸生物传感器的直流和微波分析。
机译:通过砷化镓结-场效应晶体管电检测带电肽的生物相互作用
机译:参数化设计和结构分析的迭代过程应用于风塔结构的发展
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录a.高性能砷化镓掩模可编程功能和逻辑阵列的可行性分析
机译:使用砷化镓的场效应晶体管大信号等效电路模型的参数创建方法,使用参数创建方法的模拟方法,通过计算机执行的方法的程序以及通过程序记录的记录介质
机译:砷化铝对砷化铝镓摩尔分数缓冲层的高温砷化镓场效应晶体管
机译:使用砷化铝或砷化铝镓缓冲层提高砷化镓场效应晶体管性能的方法
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